Ing. Jiří Hájek, Ph.D.

Lektor VŠ

místnost: T2:B3-444
telefon: +420 2 2435 2198
e-mail: hajekj1@fel.cvut.cz

Konzultační hodiny (ZS 2016/17):

v pondělí od 16:00 do 18:30
ve čtvrtek od 08:00 do 10:00

Vzdělání, věda a výzkum:

  • 1995 – 1999 všeobecné gymnázium Botičská, Praha 2,
  • 1999 – 2005 FEL ČVUT Praha, studijní program Elektrotechnika a informatika, blok zaměření Technologické systémy,
  • 2005 – 2012 dokončen doktorský studijní program „Elektrotechnika a informatika“, obor Elektrotechnologie a materiály.

Profesní zaměření během PGS na oblast EMC, návrh a hodnocení kvality odrušovacích filtrů. Účast na projektu „Profesní vzdělávání v oblasti elektromagnetické kompatibility (OPLZ CZ.1.04/1.1.02/23.00260, www.emc.csp.cvut.cz). Autor části studijních materiálů. V současnosti zaměření na diagnostiku výkonových součástek pomocí měření šumu 1/f, kapacitních měření (C-V) a diagnostiku pasivních součástek pomocí vf. parametrů.

Pozice na katedře:

  • od 1. 3. 2005 student doktorského programu Elektrotechnologie a materiály (prezenční forma), dokončeno červenec 2012
  • od 1. 9. 2005 zaměstnán jako technik na katedře elekrotechnologie
  • od 1. 3. 2006 zaměstnán jako odborný asistent, od r. 2011 správce Laboratoře EMC.

Praxe:

  • od 1.4.2005 technolog výroby Polovodiče a.s.
  • od 1.1.2009 vedoucí zkušebny (od 6/2010 součást ABB s.r.o, jednotka Polovodiče)

Vybrané hlavní publikace:

  • Hájek, J., Papež, V. Filtr pro umělou síť, funkční vzorek 13113/3/2008, FEL ČVUT, 2008
  • Hájek, J.: Adaptation of an evolutionary algorithm in modeling electric circuits. Acta Polytechnica. 2010, vol. 50, no. 1, p. 14-18. ISSN 1210-2709.
  • Cetl, T. – Hájek, J. – Künzel, K. – Papež, V. – Žáček, J.: Profesní vzdělávání v oblasti elektromagnetické kompatibility. 1. vyd. Praha: Česká elektrotechnická společnost, 2010. 274 s. ISBN 978-80-02-02225-1.
  • Brejcha, M. – Černek, P. – Bayer, R. – Hájek, J.: Technologie konstrukce odrušovacích filtrů I: Analýza příčin chyb ve frekvenční charakteristice. Elektrorevue (online). 2011, roč. 2011, č. 65, s. 1-15. ISSN 1213-1539.
  • Hájek, J. – Papež, V.: Issues of flicker noise measurements on power semiconductor devices. In Diagnostika ’11. Plzeň: Západočeská univerzita v Plzni, 2011, p. 152-155. ISBN 978-80-261-0020-1.
  • Hájek, J. – Papež, V. – Kojecký, B.: Investigation of Flicker Noise in Silicon Diodes under Reverse Bias. Microelectronics Reliability. 2012, vol. 52, no. 3, p. 469-474. ISSN 0026-2714.
  • Hájek, J. – Papež, V. – Kojecký, B.: Zařízení pro vyhodnocování napěťových vlastností výkonových polovodičových součástek. Patent Úřad průmyslového vlastnictví, 303040. 2012-01-26.
  • Hájek, J. – Papež, V. – Kojecký, B.: Influence of surface states on reverse and noise properties of silicon. In ISPS’12 PROCEEDINGS. Praha: České vysoké učení technické v Praze, 2012, p. 173-177. ISBN 978-80-01-05100-9.
  • Papež, V. – Hájek, J. – Kojecký, B.: Influence of surface states on the reverse and noise properties of silicon power diodes. IET Circuits, Devices & Systems. 2014, vol. 8, no. 3, p. 213-220. ISSN 1751-858X.
  • Papež, V. – Hájek, J. – Kojecký, B.: Capacitive methodes for testing of power semiconductor devices. Facta Universitatis. 2015, vol. 28, no. 3, art. no. 10, p. 495-505. ISSN 0353-3670.

Za informace zodpovídá/Responsible for the information: Jiří Hájek